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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

楼盘历史背景 某的项目应用于长角形各国某各国级半导品牌各园,各个企业核心生产方式8寸大和12寸大晶圆,每日量符合2万片。随产值升高,原先的废污水补救操作系统已始终无法考虑环保节能必须,急要升阶创新。的项目总投资人约1200万元,的设计补救工作能力为300吨/日,于未来三年时间内建于投用。 废水处理工艺材料及来原 该机构晶圆划区工艺引发的废水处理常见一般包括下例营养成分: 割孔方式中应用的碾磨液剩余的物,注意组成成分为二腐蚀硅粉末、界面催化双氧水稳定剂和设计插入剂 晶圆外层清洁引发的含氟电镀废水,氟铁离子盐浓度在80-120mg/L 少许天价属亚铁离子如铜、镍等,种类于切除平台损坏 有机物高沸点溶剂残余的,比如异丙醇、异丙醇等 pH值震荡很大的,一般是在4-10彼此 补救工艺设计方法 针对于废液的特点,定制主要采用"有机化学预整理+什么是生化整理+高度整理"的团体生产工艺: 调结池 :动态平衡水质检测排水量,設置pH高清在线监控和手动投药装置 混凝土析出 :加药PAC和PAM,剔除自动隐藏物和悬浊液有机化合物 气浮单无 :按照溶气气浮工艺设备进每一步快速清理十分细小小粒和的部分有机的物 生化学净化处理 :进行MBR膜动物不起作用器,污水浓度值长期保持在8000-10000mg/L 深度1工作 :亲水性炭气体吸附+反渗入技艺,抓好留水合格 污水处理 :板框工业废水压滤机脱水等,工业废水水分含量率降落到60%下 净化处理成果 模式稳固运营后,有水出土质截然高达《电子器件化工水污染破坏物废气排放标准标准的请求的》(GB39731-2020)比较废气排放标准最大限度请求: COD<30mg/L 氟铝离子<5mg/L 飘浮物<10mg/L 天价属哪项要求均降到限制值 大型项目历年可限制破坏物排卸量约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收利用水率做到75%上,为企业最省有水费结余约1二十万元/年。

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